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1月16日早盘,存储芯片概念表现强势,金太阳(20CM涨停)、康强电子、长电科技涨停,精智达、科翔股份、精测电子、蓝箭电子、晶升股份、佰维存储大涨超10%。2026年以来,存储芯片概念指数大涨超18%,1月16日再创历史新高。
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# s$ J' w# o8 y- V存储芯片涨价继续?
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* F. v f6 d. \4 o) B存储芯片的持续走强,在市场人士看来,与“涨价”密切相关。TrendForce集邦咨询发布的最新报告表示,2026年第一季由于DRAM原厂大规模转移先进制程、新产能至服务器、HBM应用,以满足AI服务器需求,导致其他市场供给严重紧缩,预估整体一般型DRAM(Conventional DRAM)合约价将季增55%~60%。NAND Flash则因原厂控管产能,和服务器强劲拉货排挤其他应用,预计各类产品合约价持续上涨33%~38%。
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% W* d, q# o; RCounterpoint Research也发布报告称,存储市场已进入“超级牛市”阶段,当前行情甚至超越2018年的历史高点,在AI与服务器容量需求持续激增的推动下,供应商议价能力已达到历史最高水平,预计2025年Q4存储价格飙升40%~50%;2026年Q1还将再涨40%~50%,2026年Q2预计再上涨约20%。( Q; T" y2 z2 K& q
) v1 k1 N! s. G9 k$ |5 Z2 m# l. h2 \AI驱动,持续性更强?* |5 O, w$ J/ ^% [: T* t
9 r" ~' c9 N) w6 U& D对于本轮存储芯片的涨价,核心在于受到AI的驱动。德邦证券表示,从2016年开始,存储行业经历了三轮周期:# o/ V O$ m K- r" `
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2016~2019年周期核心受益DDR4换代带来的价格快速上涨,尽管手机、PC等消费电子产品销量并无明显增长,但手机游戏等应用的火爆对硬件内的存储性能提出了更高的要求,下游应用的需求推动DDR4渗透率大幅提升。原厂方面,2016年存储厂转向3D Nand Flash扩产,加深了市场对于DDR4供给紧张的预期。同时2016年三星西安工厂停电等厂务因素也进一步推高存储器价格。# f2 T& @9 k8 G' |/ j1 Q% |
6 r2 ~7 x1 r4 P7 W9 A% L2020~2023年周期核心受益笔记本电脑/手机等消费电子产品需求。2020-2021年,随着全球受到疫情影响,远程办公、线上网课等形式逐渐普遍,带动笔记本电脑,手机销量大幅增长,其中笔记本电脑出货量在2020年大幅增长27%。另外全球数据中心建设对服务器需求也有所提升,2020/2021全球服务器出货量分别增长3.9%和6.9%。2022~2023年消费电子销量有所下滑,存储景气度开始下行。
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* F- L, C0 v1 x9 J( q2024年开启的新周期核心受益AI基建带来的需求增长。我们认为本轮存储行业的上行周期,和2016-2019年、2020-2023年有所不同,前两轮周期本质更多依托消费端发力,而本轮存储芯片的需求更多源自大型科技公司在AI时代的算力基建,持续性可能更强。7 r D* f- f& e2 _# I
# v2 ~- \ Z+ [: C2 L: r7 S$ {该机构表示,存储芯片是半导体行业中第二大细分市场,根据半导体权威机构WSTS的数据,2024年全球半导体市场为6305亿美元,其中存储芯片市场为1655亿美元,占整个半导体市场的 26%,是仅次于逻辑芯片的第二大细分领域。# A9 S% k: g, r( U' \
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龙头股2025年业绩炸裂& G- L. \5 f2 t8 h
% W: c, ]6 l' s' R! S F此外,存储芯片龙头佰维存储披露的亮眼业绩预告,也提振了存储芯片概念的人气。日前,佰维存储披露的2025年业绩预告显示,2025年预计实现归母净利润8.5亿元~10亿元,同比增长427.19%~520.22%。其中2025年第四季度实现归母净利润8.2亿元~9.7亿元,同比增长1225.40%-1449.67%9 F# y- U, J7 `, j0 D' X1 o
, S- R$ i; O5 F: Q, I8 q/ r5 A从机构预测来看,存储芯片概念2025年的业绩也普遍乐观。东方财富Choice数据显示,至纯科技预计2025年业绩同比增长494.7%。金太阳紧随其后,2025年增长325.64%。精测电子、佰维存储、晶瑞电材等2025年业绩预测同比也居前。整体而言,有13股2025年业绩预计同比翻倍。
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国产存储芯片迎重要进展
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, Q. ]4 D9 V# W% y) I" F( m$ r国内而言,经过多年的发展,国产存储芯片巨头长江存储、长鑫科技等公司逐渐取得突破,并抢占了部分存储市场。
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光大证券表示,日前长鑫科技IPO取得重要进展,已经完成两轮预先审阅,上交所也已经于2025年12月30日正式受理长鑫科技的IPO申请。长鑫科技计划募集295亿元,其中130亿元用于“DRAM存储器技术升级项目”,90亿元用于“动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目”。
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: f% T1 [) [1 A7 Z# U( d7 w长鑫科技2025年前三季度实现320.84亿元的营收,产品涵盖DDR4、DDR5等产品,是国内第一、全球第四的DRAM厂商。
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! Z" b# L) w7 ?4 Q0 a& M除了长鑫科技,长江存储也是国产存储芯片的佼佼者。长江存储成立于2016年,公司已经全面布局了芯片设计、生产制造、封装测试及系统解决方案产品等领域。长江存储可以提供3D NAND闪存晶圆及颗粒,产品已经广泛应用于消费电子、服务器等重要领域。, V) U: n+ m# ^4 E# p- y
) K( g9 M# O9 G6 ]' [/ M6 J2018年,长江存储发布了核心技术品牌晶栈Xtacking,这标志着国产芯片在3D NAND领域实现重大突破。正是由于长江存储积累了丰富的技术,国际存储巨头也绕不开长江存储的专利。
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东方证券认为,AI推理瓶颈正从计算转向上下文存储,英伟达推出推理上下文内存存储平台,打造AI原生存储基础设施,可提升token处理效率并优化能效,带动存储芯片需求高速成长。存储行业供不应求持续,海外巨头扩产有限,国内存储厂商在DRAM和NAND领域技术突破,长鑫科技、长江存储等推进融资扩产,为产业链带来机遇。3 V& C* L1 v( e% N/ t( E& e1 ^+ |& N
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